バイポーラトランジスタの動作

$I_{B} = I_{s} (e^{q V / n k T} - 1)$ 横軸： $V_{B E}$ ( $0$ ～ $V_{B E m a x}$ ) 縦軸： $I_{B}$		$h_{f e} = 100$ 横軸： $V_{C E}$ ( $0$ ～ $V_{s s}$ ) 縦軸： $I_{C}$
ベース-エミッタ間の電圧-電流特性		コレクタ-エミッタ間の電圧-電流特性
	$\times h_{f e}$ ⇨
入力電圧 $V_{B E} =$ 0.0500 V		コレクタ抵抗： $R =$ 1.1e+10 Ω $V_{C E} =$ 4.4 V $I_{C} =$ 5.9e-11 A

横軸範囲 $V_{B E m a x} =$ 0.100 V

$I_{s}$ の値は仮に設定した値（ $1.0 \times 10^{- 13}$ ）で，電流の値もそれに基づく適当な値です．
入力横軸範囲の値に従って，グラフの最大電流がベース電流最大値の $h_{f e}$ 倍になるよう，コレクタ抵抗 $R$ の値を設定しています．

ベース-エミッタ特性の入力電圧範囲 $V_{B E m a x}$ が 0.1 V ぐらいだと教科書によくある説明図の形になります． $V_{B E m a x}$ の値を 0.6～0.7 Vぐらいにすると，実際のトランジスタの動作に近くなります．そのとき， $I_{B}$ が急激に立ち上がる電圧付近の狭い範囲で，電流が大きく変化します．このことから，ベース-エミッタ間にバイアス電圧をかける必要性が確認できます．

更新履歴

2020/04/23 初版
2020/08/03 html/JavaScript分離
2023/03/23 URL変更